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| タイプ | 説明 |
| 製造元 | Vishay / Siliconix |
| シリーズ | TrenchFET® |
| パッケージ | テープ＆リール（TR） |
| 製品の状態 | OBSOLETE |
| パッケージ・ケース | PowerPAK® SO-8 Dual |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| 構成 | N and P-Channel |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
| パワー - 最大 | 1.4W |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 12V |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 7.6A, 5.7A |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 17mOhm @ 11.8A, 4.5V |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 17nC @ 4.5V |
| FETの特徴 | Logic Level Gate |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 1.5V @ 250µA |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 Dual |
送料
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